4月23日，中科院基礎局主持召開(kāi)了由固體所承擔的中國科學(xué)院知識創(chuàng )新工程重要方向項目“寬禁帶氮化物及磁性半導體材料的制備和物理問(wèn)題研究”驗收會(huì )。專(zhuān)家組聽(tīng)取了項目負責人王玉琦研究員、曾雉研究員的工作報告，審查了相關(guān)資料，經(jīng)過(guò)交流討論，一致通過(guò)項目的驗收。

　　該項目組根據材料的特性自行設計并實(shí)現了AlN升華-載結晶設備，制備出位錯密度低的晶體材料；采用射頻等離子氮離子源MBE，制備出達到國際先進(jìn)水平的高反壓AlGaN/GaN肖特基二極管；利用弛豫光電導技術(shù)，研究了導致GaN場(chǎng)效應晶體管電流崩塌效應的起因；解釋了GaMnAs以及ZnCoO等磁性半導體材料中的磁性機理，與相關(guān)缺陷擴散動(dòng)力學(xué)過(guò)程；采用第一性原理和解析理論相結合的方法研究了III-V族半導體中單個(gè)Mn雜志的電子態(tài)和Mn-Mn對自旋磁耦合方式。提出了極化機制，揭示了磁圓二色以及STM實(shí)驗的空間電荷分布圖像。項目實(shí)施期間，共發(fā)表論文50篇，申請發(fā)明專(zhuān)利12項，已授權5項。自行設計制作了若干有特色和自主產(chǎn)權的實(shí)驗儀器，建成了設備完善的實(shí)驗室。

　　與會(huì )專(zhuān)家一致認為該項目取得了突出成果，項目組完成了項目計劃書(shū)規定的各項任務(wù)，部分技術(shù)指標超出了原定目標，并具有自主知識產(chǎn)權，達到了國際先進(jìn)水平。

　　驗收組由中科院長(cháng)春光機所、電工所、物理所、半導體所、化學(xué)所、中國科技大學(xué)以及中科院基礎局、基金委的專(zhuān)家和領(lǐng)導組成。