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          科研進(jìn)展

          固體所舉辦首期“創(chuàng )新2020青年論壇”

          作者:文/王新福、沈晨, 圖/王拴發(fā)布時(shí)間:2010-04-30【打印】【關(guān)閉】

            4月27日,來(lái)自各研究室的青年科技人員、研究生等聚集一堂,固體所第一期“創(chuàng )新2020青年論壇”在三號樓二樓會(huì )議室舉行。固體所所長(cháng)蔡偉平、副所長(cháng)曾雉、科研辦主任劉長(cháng)松、職代會(huì )主席費廣濤等出席首屆論壇啟動(dòng)儀式。

            曾雉副所長(cháng)為論壇開(kāi)幕致詞,她指出青年論壇主要是為青年學(xué)者提供學(xué)術(shù)交流的平臺,旨在鍛煉青年人的科研創(chuàng )新能力,提高學(xué)術(shù)水平,發(fā)展壯大我所科研力量,希望廣大青年工作者積極反饋,群策群力,共同把青年論壇越辦越好。蔡偉平所長(cháng)對固體所“創(chuàng )新2020青年論壇”的舉辦給予了充分肯定。他希望報告人珍惜機會(huì ),并做好充分準備。論壇報告人不僅要來(lái)自固體所,還要“引進(jìn)來(lái),走出去”吸引更多的專(zhuān)家學(xué)者參與,逐步擴大論壇的影響力。

            在首屆論壇上,鄭小宏博士和李新化博士分別作題為“Tuning the transport properties of zigzag-edged grapheme nanoribbons ”、 “金輔助分子束外延制備砷化鎵納米線(xiàn)研究”的報告。

            鄭小宏從單層石墨的發(fā)現及應用前景入手,從理論上提出了在具有zigzag邊沿的單層石墨納米帶中通過(guò)在不同邊分別摻入空穴(B)和電子(N)以實(shí)現對特定自旋的邊沿態(tài)的電子占據的控制來(lái)獲得完全半徑屬性的方案;同時(shí)還提出了通過(guò)打孔的方式改變石墨納米帶的輸運特性的方法;這些理論結果需要實(shí)驗上進(jìn)一步的驗證。李新化以目前研究熱點(diǎn)太陽(yáng)能電池為背景,分析了GaAs的特性,根據自身實(shí)驗室條件,采用金輔助分子束外延法制備砷化鎵納米線(xiàn),通過(guò)改變Ga束流、生長(cháng)溫度等參數來(lái)控制GaAs納米線(xiàn)徑向生長(cháng)能力及形貌等。

            與會(huì )者認真聆聽(tīng)了兩位博士的精彩報告,并開(kāi)展了熱烈的交流和互動(dòng),首期論壇取得圓滿(mǎn)成功。

          鄭小宏博士作報告

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