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          科研進(jìn)展

          《今日材料》期刊再次發(fā)表智能所納米器件重要研究成果

          作者:郭正發(fā)布時(shí)間:2011-03-21【打印】【關(guān)閉】

            最近,合肥研究院智能所仿生功能材料與傳感器件研究中心劉錦淮研究員、黃行九研究員負責的研究組在納米器件研究領(lǐng)域取得了重要進(jìn)展,研究成果論文《基于“T”型二氧化錫納米線(xiàn)的分流器件》(T-shaped SnO2 nanowire current splitter)發(fā)表在國際材料科技與學(xué)術(shù)領(lǐng)域著(zhù)名評論期刊《今日材料》(Materials Today, 2011, 14, 42-49)上。《今日材料》期刊評審人對該項研究工作給予了很高的評價(jià):“這是首次利用T-型二氧化錫(SnO2)納米線(xiàn)來(lái)制作電子器件,該研究工作對新一代納電子器件的設計具有重要意義。”

            納米器件化是當前納米科學(xué)研究的熱點(diǎn)之一,也是微電子器件的下一代新器件——納電子器件發(fā)展的基礎。根據納米結構導電性能具有各相異性的特征,研究組人員提出了利用不同晶格取向的“T”型納米結構構筑納米分流器器件的概念,運用納米操縱平臺及微電子機械系統(MEMS)工藝手段,構筑了主干和分枝分別為[101]和[010]方向生長(cháng)的“T”型SnO2納米線(xiàn)分流器件。該“T”型納米分流器件的最大特點(diǎn)是它有類(lèi)似場(chǎng)效應管的作用,而不需要外加柵極(Gate),三個(gè)端點(diǎn)均可以輪換作為柵極,其它兩個(gè)端點(diǎn)則可以作為源極 (Source)和漏極 (Drain)。研究結果表明:T-型SnO2納米結構的任意兩端之間電流大小和方向可通過(guò)T-型結構的第三端進(jìn)行調控,且與晶體生長(cháng)方向以及不同晶面形成的結之間具有很大的關(guān)系。該器件的分流性能完全符合基爾霍夫定律(Kirchhoff laws)。

            這是智能所該研究組繼2010年在《今日材料》期刊上發(fā)表《基于電信號的納米間隙生物傳感器件》(Electrical nanogap devices for biosensing)論文后,又一關(guān)于納米器件方面的研究成果報道。此項研究工作得到了國家重點(diǎn)基礎研究發(fā)展計劃(973項目)“應用納米技術(shù)去除飲用水中微污染物的基礎研究”、國家自然科學(xué)基金委重大研究計劃“納米制造的基礎研究”等項目的大力支持。

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