7月6日,美國猶他大學(xué)材料系劉鋒教授訪(fǎng)問(wèn)固體所并做學(xué)術(shù)報告。報告會(huì )由固體所副所長(cháng)曾雉研究員主持。
劉鋒教授的報告題目是“傳統半導體表面中狄拉克和拓撲態(tài)的理論研究”(Theory of Dirac and Topological States on Conventional Semiconductor Surfaces)。他提出在Si襯底上生長(cháng)二維材料從而調控狄拉克態(tài)和拓撲態(tài)的創(chuàng )新性方案,并指出形成拓撲態(tài)不但需要強烈的旋軌耦合,而且費米能級處的軌道成分對此也有著(zhù)重要的作用。他的研究發(fā)現,二維貴金屬原子(Au)在Si襯底上形成的拓撲態(tài)是由于sd2雜化所導致的,此類(lèi)的雜化會(huì )形成類(lèi)似Kagome的格子,通過(guò)調制不同的軌道,可以在三角格子上面產(chǎn)生拓撲態(tài),并找到了相應的二維材料。此外,劉鋒教授還分享了他對科研和生活的一些感悟,在座的科研人員得到了很大的啟發(fā)。
劉鋒教授是國際著(zhù)名材料物理學(xué)家,研究領(lǐng)域包括納米結構理論、納米材料和器件、表面與界面和薄膜生長(cháng)機制及 計算材料物理等,是有機拓撲材料的發(fā)明人,也是應變引導的納米結構自主裝和納米力學(xué)構筑領(lǐng)域的主要開(kāi)拓者之一。
劉鋒教授作報告