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          科學(xué)島團隊在單顆粒納米腔中最終近場(chǎng)增強極限探測研究方面取得新進(jìn)展

          作者:陳思雨發(fā)布時(shí)間:2023-04-17【打印】【關(guān)閉】

            近日,中科院合肥物質(zhì)院健康所楊良保研究員課題組在單顆粒納米腔中最終近場(chǎng)增強極限的探測方面取得進(jìn)展,相關(guān)成果發(fā)表在國際頂級期刊Nano Letters,并且被選為當期封面1 

            楊良保研究員團隊一直從事表面增強拉曼光譜(SERS)檢測方法的研究,取得了一系列研究成果。由于SERS檢測技術(shù)強烈依賴(lài)于等離子體場(chǎng)強,在不斷創(chuàng )新和發(fā)展SERS檢測技術(shù)過(guò)程中,發(fā)現納米尺度下的近場(chǎng)強度分布不均 (Siyu Chen, Liangbao Yang et. al., J. Am. Chem. Soc., 2022, 144,29,13174-13183在此研究基礎上,團隊一直在追求追求使用相鄰金屬納米間隙來(lái)實(shí)現更大的電磁增強,以促進(jìn)光與物質(zhì)的相互作用。但納米間隙的減小會(huì )造成量子隧穿效應的出現,這對于 SERS 檢測來(lái)說(shuō)是很不利的。因此,對主動(dòng)控制電子隧穿量子效應的研究非常必要 

            鑒于此,楊良保課題組利用單層h-BN形成的高隧穿勢壘主動(dòng)阻斷電子隧穿效應,通過(guò)探測單顆粒納米腔中h-BN本征SERS強度定量探測經(jīng)典框架內最終的近場(chǎng)增強極限(圖2)。該研究通過(guò)熱電子隧穿量子計算以及層數依賴(lài)的散射光譜實(shí)驗等,均證明了單層h-BN阻擋了電子隧穿。研究通過(guò)SEM-SERS區域成像獲得的最大SERS增強因子,將這些實(shí)驗結果與經(jīng)典電磁模型與量子校正模型獲得的計算結果進(jìn)行比較,發(fā)現了經(jīng)典電磁模型確實(shí)較好地符合實(shí)驗數據,實(shí)現了經(jīng)典框架內最終的近場(chǎng)增強極限的探測(圖2。該工作有助于進(jìn)一步剖析等離子體增強中的量子力學(xué)效應等,量子等離子體學(xué)和納米隙光動(dòng)力學(xué)提供了重要指導 

            該工作的第一作者為健康所2019級博士生陳思雨。該項研究受到中國科學(xué)院科研儀器裝備開(kāi)發(fā)項目、國家自然科學(xué)基金、安徽省自然科學(xué)研究項目等資助。

            文章鏈接:https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.3c00404 

            https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/jacs.2c03081 

           

          1 Nano letters的正封面 

           

          2 () 設計了一個(gè)獨特的納米腔,用單層 h-BN 作為電子隧穿屏障和 SERS 探針,在埃級尺寸的間隙內,通過(guò) h-BN 本征 SERS 強度探測納米腔中最終近場(chǎng)增強極限; () 實(shí)驗測量和模擬的體平均 SERS增強因子隨間隙大小 (h-BN層數)的變化 

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