當金屬納米結構之間的間隙小于10 nm時(shí)，將發(fā)生電磁場(chǎng)耦合增強，產(chǎn)生顯著(zhù)的表面增強拉曼散射(Surface-enhanced Raman Scattering, SERS)效應，因此這些納米間隙被稱(chēng)為SERS“熱點(diǎn)”。當間隙寬度減小至~2 nm時(shí)，將產(chǎn)生最強的SERS信號，位于間隙中的分子的拉曼散射信號被放大百萬(wàn)倍以上，進(jìn)而實(shí)現對痕量分子甚至單分子的超高靈敏度檢測，在環(huán)境污染物檢測、食品安全篩查和生物傳感等領(lǐng)域具有重要的應用前景。所以，在實(shí)際應用中，需要構筑大面積均勻有序排列的高密度納米間隙陣列，以便獲得盡量多的SERS熱點(diǎn)提高檢測靈敏度，同時(shí)保證SERS檢測信號的均勻性和可重復性。然而，如何低成本、高效、可控地制備出大面積均勻排列的小尺寸納米間隙陣列，是該領(lǐng)域國際上的研究熱點(diǎn)和面臨的挑戰。

　　博士生閆思思等科研人員經(jīng)過(guò)不斷摸索，發(fā)展了一種批量可控制備大面積均勻排列的多層同軸納米間隙陣列SERS基片的新方法。首先，用大面積規則有序排列的凸模對鋁片預壓印，在其表面形成有序凹坑陣列；然后，對鋁片進(jìn)行陽(yáng)極氧化，預壓后形成的凹坑陣列將“誘導”鋁片在陽(yáng)極氧化過(guò)程中形成大面積規則有序排列的納米孔陣列(圖1a-c)；接著(zhù)，采用原子層沉積(ALD)技術(shù)在規則有序排列的AAO孔壁內交替沉積厚度精確可控的氧化鈦和氧化鋁薄層，其中ALD沉積的氧化鋁薄層作為犧牲層，被腐蝕去除后，即可形成大面積規則有序排列的同軸納米間隙，其寬度由ALD沉積的氧化鋁薄層的厚度決定，可實(shí)現精確調控(圖1d-i)；最后，采用物理濺射方法在剩余的氧化鈦同軸納米管表面濺射一層很薄的銀納米顆粒，獲得了大面積(~cm²)規則有序排列的高密度同軸環(huán)形納米間隙陣列(圖2)，間隙的尺寸可調控至 2 nm，從而產(chǎn)生高密度的SERS增強“熱點(diǎn)”，SERS增強因子高達 4 10⁸。科研人員采用這種SERS基片，實(shí)現了對低至10 fM的羅丹明6G分子和湖水中的痕量毒死蜱(檢測限 0.125 ppm)以及福美雙(檢測限 1.8 ppb)的快速檢測，檢測結果與實(shí)際濃度的偏差小于10% (圖3)，檢測到的濃度低于環(huán)保部規定的最大殘留限量標準。

　　與現有的納米間隙制造技術(shù)相比，該方法能夠成本低地批量可控制備大面積均勻有序規則排列的高密度納米間隙陣列，這些納米間隙陣列不僅能夠作為SERS基片快速檢測痕量物質(zhì)， 而且有望在納米光子學(xué)、電子學(xué)和催化等領(lǐng)域得到廣泛應用。

　　該工作得到國家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項目、安徽省科技重大專(zhuān)項、中國科學(xué)院前沿重點(diǎn)項目等資助。 

　

圖 1. 多層同軸圓形納米間隙陣列制備流程示意圖及其形貌表征結果。納米間隙層數、間距等均可精確調控；對不規則形貌，由于 ALD 共形生長(cháng)優(yōu)勢，仍然可以獲得寬度完全均勻的納米間隙。　　 圖 2. 多層同軸圓形納米間隙陣列具有大面積均勻性和多批次一致性。