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          科研進(jìn)展

          科學(xué)島團隊在氫的表面活化解離與擴散過(guò)程的量子隧穿效應研究方面取得新進(jìn)展

          作者:童洋武、楊勇發(fā)布時(shí)間:2024-01-19【打印】【關(guān)閉】
            近期,中國科學(xué)院合肥物質(zhì)院固體所能源材料與器件制造研究部楊勇研究員團隊在氫的表面活化解離與擴散過(guò)程的量子隧穿效應研究方面取得系列進(jìn)展。相關(guān)研究論文被選為編輯推薦文章 (Suggested by Editors),以 Rapid Communication Article的形式發(fā)表在 Chinese Physics BThe Journal of Physical Chemistry C上。

            氫在固體材料表面的解離、吸附和擴散在一些重要的物理和化學(xué)過(guò)程中扮演著(zhù)重要的角色。例如,聚變反應裝置第一壁材料中滯留氚的去除,氫能的存儲和釋放,氫燃料電池的電極反應以及表面催化。氫是宇宙中質(zhì)量最小,存在最普遍的元素。相對于其他元素而言,氫原子的動(dòng)力學(xué)過(guò)程中會(huì )有顯著(zhù)的原子核的量子運動(dòng),即所謂核量子效應。近年來(lái),原子的量子隧穿在小分子化學(xué)過(guò)程的反應速率和選擇性中的重要作用被越來(lái)越多的報道。那么,量子隧穿效應在氫的固體材料表面活化解離與擴散的過(guò)程中會(huì )扮演什么角色呢? 

            在先前工作積累的基礎上 (J. Phys. Chem. C 123, 13804 (2019); 125, 464 (2021); Chin. Phys. B 30, 046601 (2021)),楊勇研究員團隊在理論上對H2Cu(001)面的活化解離過(guò)程及氫原子在Cu和石墨烯表面擴散過(guò)程的動(dòng)力學(xué)性質(zhì)和量子隧穿效應作了系統的研究。

            在Cu(001)面,吸附的H2不會(huì )自發(fā)分解成H原子。H2Cu(001)面上的解離是一個(gè)活化過(guò)程(解離勢壘Eb > 0)。基于H2Cu(001)面活化解離的勢能面,研究人員使用精確包含量子隧穿效應的轉移矩陣方法,計算了H2通過(guò)平移運動(dòng)和振動(dòng)運動(dòng)引起解離的經(jīng)典和量子概率以及速率常數。研究表明,H2的平移和振動(dòng)均對高溫下H2的解離有重要作用。在低溫下,相比于平動(dòng)引起的解離,振動(dòng)誘導的解離可以忽略不計。活化解離的量子概率和經(jīng)典概率都隨著(zhù)溫度的升高而增加。在1350 K以下,包含量子隧穿效應的概率始終高于將H2分子視為經(jīng)典粒子的情況。在室溫及低溫區,量子隧穿效應占主導地位(Chin. Phys. B 32, 108103 (2023))

            空心位(hollow位)是H2分解后單個(gè)氫原子在Cu(001)面最穩定的吸附位點(diǎn)。研究人員基于第一性原理計算,得到了氫原子在相鄰hollow位擴散的最小能量路徑,獲得H和同位素D沿著(zhù)最小能量路徑擴散的經(jīng)典和量子概率。在溫度低于30 K時(shí),量子隧穿效應的透射概率遠大于以H/D為經(jīng)典粒子的透射概率。H和D的質(zhì)量差異引起的量子行為的差別則反映了同位素效應的另一個(gè)方面。進(jìn)一步計算得到了速率常數和擴散系數。計算結果與實(shí)驗結果在50 ~80 K之間很好地吻合(Chin. Phys. B 32, 086801 (2023))。

            在極低的覆蓋度下,氫以單原子的形式吸附在石墨表面。隨著(zhù)氫覆蓋度的增加,氫原子傾向于以二聚體的形式吸附在表面,形成更加穩定的吸附團簇。二聚體中鄰近吸附位點(diǎn)氫原子的存在會(huì )顯著(zhù)改變擴散氫原子在石墨烯表面擴散的動(dòng)力學(xué)性質(zhì)。研究表明,鄰近氫原子之間的相互作用是導致擴散勢壘高度變化的關(guān)鍵因素。在擴散引起的一系列構型轉變中,將氫原子分別視為經(jīng)典粒子和量子粒子的傳輸概率、反應速率常數和擴散系數的對比結果顯示,量子隧穿在氫的室溫及低溫運動(dòng)起主導作用。即便在較高的溫區(~ 600 K),其貢獻仍然不可忽視。研究結果為深入理解氫原子在石墨烯表面的擴散動(dòng)力學(xué)提供了新的視角 (J. Phys. Chem. C , 128, 840-849(2024))  

            上述研究得到了國家自然科學(xué)基金的資助。 

            相關(guān)文章鏈接:https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1674-1056/acd2b3  

            https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1674-1056/acd2b4 

          圖1. H2在Cu(001)面由于法向平移運動(dòng)(a)和橫向振動(dòng)(b)引起的活化解離過(guò)程。

            2. 吸附在Cu(001)hollow位的HD沿著(zhù)最小能量路徑擴散到相鄰的hollow位點(diǎn)的速率常數和擴散系數。曲線(xiàn)和方塊分別為理論計算和實(shí)驗測得的結果。     

            

           

          3. 石墨烯表面上氫的量子隧穿現象(a),擴散系數的經(jīng)典和量子過(guò)程對比(b) 

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