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          科研進(jìn)展

          科學(xué)島團隊研制出安培級電流密度電解水制氫電極

          作者:劉毛發(fā)布時(shí)間:2024-07-01【打印】【關(guān)閉】

          近期,中國科學(xué)院合肥物質(zhì)院固體所納米材料與器件技術(shù)研究部孟國文、陳斌研究團隊與澳大利亞格里菲斯大學(xué)趙惠軍教授合作,設計構筑了一種負載鉑單原子的氮摻雜碳管三維互連網(wǎng)格薄膜,將其作為結構一體化的電解水析氫反應電極,實(shí)現了在安培級電流密度下的穩定高效制氫。相關(guān)成果發(fā)表在國際期刊Small上。

          氫能具有能量密度高、綠色清潔等優(yōu)點(diǎn),被譽(yù)為21世紀最具發(fā)展前景的可再生能源之一。電解水制氫技術(shù)可與其它新能源技術(shù)聯(lián)用,將太陽(yáng)能、風(fēng)能等間隙式不穩定的綠色電能轉換為氫能存儲。然而,受限于現有催化劑的活性,目前的電解水制氫仍然存在能耗高、能量轉換效率低等問(wèn)題。因此,研發(fā)高性能催化劑、降低電解水反應勢壘,對降低能耗和提高能量轉換效率至關(guān)重要。

          研究表明,貴金屬鉑(Pt)是目前析氫反應性能最優(yōu)的催化劑材料,但Pt資源稀缺、成本高。通過(guò)減小Pt催化劑的尺寸以提高原子利用率,是降低成本的重要途徑。因此,人們構筑了一系列碳材料(石墨烯、碳納米管等)負載的Pt單原子催化劑,顯著(zhù)提高了Pt的原子利用率。但是,這些催化劑通常是以納米顆粒粉末形式合成的,需要與粘結劑混合后涂覆到導電基底上構筑成電極。這種粉末涂覆方式不僅存在催化劑易團聚、粘結劑遮蓋活性位點(diǎn)、電極接觸電阻大等問(wèn)題,而且在大電流密度工作時(shí)催化劑容易脫落,導致穩定性差。目前報道的碳基Pt單原子催化劑工作電流密度通常在200 mA cm-2以下,難以滿(mǎn)足工業(yè)電解水在高電流密度(大于500 mA cm-2)下穩定工作的需求。

          鑒于此,博士生潘其軍等以課題組前期創(chuàng )制的三維互連多孔陽(yáng)極氧化鋁為模板,采用乙炔和氨氣分別作為碳源和氮源,在模板孔的限域誘導下通過(guò)化學(xué)氣相沉積制備了三維氮摻雜碳管網(wǎng)格薄膜(3D N-CTs);然后利用浸漬-吸附的方法,通過(guò)N雜原子錨定效應將Pt單原子負載到3D N-CTs基底上(圖1a),得到結構一體化、Pt單原子均勻負載的三維氮摻雜碳管網(wǎng)格(3D Pt@N-CTs)。該網(wǎng)格電極由大量相互連接的垂直碳管和橫向碳管組成(圖1b-e),不僅具有優(yōu)異的結構穩定性和超高的比表面積,而且互連的開(kāi)放孔道結構提供了豐富的活性位點(diǎn)和便捷的傳質(zhì)路徑。球差電鏡測試表明,大量單分散的Pt原子均勻分布在碳管上(圖1fg)。同步輻射和光電子能譜結果進(jìn)一步證明,Pt是以高價(jià)氧化態(tài)的單原子形式存在,并通過(guò)Pt-NxC4-xx =1-4)的配位結構牢固錨定在碳管網(wǎng)格基底上(圖2)。

          研究人員構筑的自支撐3D Pt@N-CTs 網(wǎng)格薄膜具有極低的Pt負載量(4.16 μg cm-2),在無(wú)需粘結劑的情況下可直接作為電解水析氫電極。析氫反應HER性能測試表明,在0.5M H2SO4酸性電解液中,該3D Pt@N-CTs電極僅需157.9 mV的過(guò)電勢即可驅動(dòng)高達1000 mA cm-2的電流密度(圖3);在150 mV過(guò)電勢下,質(zhì)量活性高達119.2 A mg-1 Pt,是商業(yè)化鉑碳(Pt/C20 wt.% )的87倍;特別是,在約500 mA cm-2的高電流密度下可以穩定工作11天以上,具有優(yōu)異的穩定性。密度泛函理論(DFT)計算結果表明(圖4),在三維碳管中摻雜N元素能夠牢固錨定Pt單原子,并能調控Pt單原子5d軌道的電子結構,使Pt原子周?chē)碾姾芍匦路植迹瑥亩@得最優(yōu)的氫吸附自由能。另外,該三維網(wǎng)格電極具有大量有序的開(kāi)口通道和獨特的表面超親水-超疏氣特性,有利于電解液傳輸和氣泡脫附,大幅提升了高電流密度下的HER性能。

          該工作為設計構筑結構一體化、無(wú)粘結劑的單原子催化電極提供了新思路,對高電流密度電解水制氫具有重要的理論意義和實(shí)際應用價(jià)值。上述研究工作得到了國家自然科學(xué)基金和合肥物質(zhì)院院長(cháng)基金的支持。

          論文鏈接:https://doi.org/10.1002/smll.202309067

          1. 3D Pt@N-CTs網(wǎng)格薄膜電極的制備流程和形貌表征:a)制備流程示意圖;(b)光學(xué)圖片(插圖:可彎曲的自支撐電極);(cdSEM圖;(e)低分辨TEM圖;(fg)球差校正的高角環(huán)形暗場(chǎng)掃描透射圖。

          2. 3D Pt@N-CTs的配位結構表征:a)同步輻射測試的Pt L3-edge XANES光譜;(b)擬合的Pt-SAs價(jià)態(tài);(cR空間K2-weighted FT-EXAFS;(dR空間擬合圖;(e)小波變換分析;(fN 1sXPS譜圖;(gPt 4fXPS譜圖。

          3. HER性能測試結果:a)線(xiàn)性?huà)呙璺睬€(xiàn);(b)質(zhì)量活性曲線(xiàn);(c)不同過(guò)電勢下的質(zhì)量活性對比圖;(dTafel斜率;(e)穩定性測試。

          4. 密度泛函理論(DFT)計算結果:aDFT計算優(yōu)化后獲得的Pt-NxC4-xx=1-4)配位結構的氫吸附自由能;(b-g)對應的差分電荷密度;(h)態(tài)密度圖。

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